Samsung anuncia memória DDR5 baseada em HKMG com 512 GB

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Foto de Lukas AraújoPostado por Lukas Araújo em 25/03/2021 21:50:31

A Samsung anunciou, na quarta-feira, que desenvolveu o primeiro módulo DRAM DDR5 baseado em High-K Metal Gate (HKMG) da indústria. Oferecendo mais do que o dobro do desempenho de DDR4 em até 7.200 megabits por segundo (Mbps), e 512 GB em um único pente.

 

O produto

 

O DDR5 da empresa utilizará tecnologia HKMG altamente avançada que tem sido tradicionalmente usada em semicondutores lógicos. Com a redução contínua das estruturas DRAM, a camada de isolamento se tornou mais fina, levando a uma corrente de fuga mais alta. Ao substituir o isolador por material HKMG, o DDR5 da Samsung será capaz de reduzir o vazamento e alcançar novos patamares de desempenho. Essa nova memória também usará cerca de 13% menos energia, tornando-a especialmente adequada para centros de dados onde a eficiência energética está se tornando cada vez mais crítica.

“A Samsung é a única empresa de semicondutores com recursos de lógica e memória e a experiência para incorporar a tecnologia de lógica de ponta HKMG no desenvolvimento de produtos de memória”

Disse Young-Soo Sohn, vice-presidente do Grupo de Planejamento e Habilitação de Memória DRAM da Samsung Electronics.

 

A tecnologia HKMG

 

A geração futura de dispositivos CMOS usam a nova tecnologia  High-k Metal Gate (HKMG) assim como a memória da Samsung. Essa tecnologia incorpora um material high-k dielectric, que reduz o vazamento elétrico e melhora a constante dielétrica. Para ajudar com a pinagem de nível fermi e permitir que a porta seja ajustada para tensões de limiar baixas, uma porta de metal é usada em vez de uma porta de polisilício. Ao combinar a porta de metal e o material high-k dielectric, a tecnologia HKMG reduz o vazamento de porta, aumentando assim a capacitância do transistor e permitindo que os chips funcionem com necessidades de energia reduzidas. Os dois fluxos de processo comuns para padronizar a pilha HKMG são gate-first e gate-last. O processo HKMG gate-first é muito sensível, pois o metal de cobertura que deve ser padronizado é muito fino.

 

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(Fluxograma do processo de montagem de CMOS usando HKMG)

 

(Um vídeo interessante para deixar a matéria mais interessante)

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